Si8233BB を搭載した、6.6 kW 高電力密度双方向 EV オンボード充電器

CRD-06600FF065N リファレンスデザインは、Wolfspeed の 650 V C3M™ SiC MOSFET および Silicon Labs の Si8233BB デュアル絶縁型ゲート・ドライバを採用して、高電力密度の電気自動車(EV)搭載型充電器(OBC)を作成することを証明します。Wolfspeed の高周波スイッチング機能を活用した設計の 650 V C3M™ SiC MOSFET は、小型、軽量かつコスト効果の高いシステムです。このリファレンスデザインは、新しい SiC 設計の開始点として使用できる包括的なデザインパッケージとして提供されています。

このデザインは以下の仕様を満たします。

  • ピーク効率 96.5%
  • 電力密度 53 W/in^3 または 3 KW/L

仕様

  • 汎用単相入力電圧 90 V および 265 V
  • 250 V-450 V DC の出力電圧
  • 充電モードで 18 の出力電流
  • PFC 67 KHz で差動する、CCM トーテムポール双方向トポロジを使用した、フロントエンド AC/DC
  • 148-300 KHz で作動する、双方向 DC/DC CLLC共振コンバータ
  • 定電流、定電圧、または定電力モード
  • 独自の統合ヒートシンク設計により、MOSFET、変圧器、インダクタから熱を除去します。
  • Silicon Lab の Si8233 4 アンプ、ハイサイド/ローサイドデュアル絶縁型ゲート・ドライバ
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