Si875x 絶縁型 FET ドライバ

Si8751/52 FETドライバは、全固体型リレー(SSR)または電気機械リレー(EMR)を置き換えるシンプルな方法です。Si875x デバイスは、堅牢な CMOS 絶縁技術を FET ドライバと組み合わせることで、完全な絶縁型スイッチを形成します。汎用性の高い入力オプションにより、デジタル CMOS ピン・コントロール(Si8751)またはダイオード・エミュレーション(Si8752)のいずれかを提供して、アプリケーションを最適に適合させます。フレキシブルな出力で AC または DC 負荷設定をサポートし、さらにこの自立型デバイスは、独自のゲートドライブ出力電圧を生成し、コスト削減、サイズ、複雑性を削減します。Si875x デバイスは、大型の機械リレーの必要性を排除し、FET スイッチの自己選択を可能にします。これにより、アプリケーションの電力、コスト、パフォーマンス要件に対して、設計を完全に最適化することができます。フォトカプラ・スタイルの LED 入力を統合し、このソリューションの動作温度範囲を制限する従来の SSR とは異なり、Si875x は向上した安定性と長寿命を備え、工業および車載用温度範囲に全面的に対応できます。

Si875x は、1 mA という低さの入力電流を使用して公称 10.3 V で FET ゲートを駆動し、その2.5 kVrms 絶縁耐圧は、UL、CSA、VDE、および CQC への完全認証のための基礎を形成します。固有の電力最適化オプションにより起動電流を最大にして高速化を実現し、その後オプションの外部コンデンサが放電されたら、静的保持電流まで低下します。入力側電圧は 2.25 V ~ 5.5 V までの柔軟性を提供し、低電力コントローラへのシームレスな接続をサポートします。Si875x は、高い dV/dt が FET のドレイン上に存在する場合に、外部 FET の意図していない起動を防ぐためのクランプ・デバイスとなります。

高速ターンオフ時間
35 µs
柔軟な入力
デジタルまたはオプトエミュレータ

共通仕様

  • デジタル CMOS またはダイオード・エミュレーション制御入力
  • 起動時間が 100 µs を下回る、10.3 V のゲート・ドライブ出力
  • 内部で生成される 2 次電源
  • ミラー・クランプ・キャパシタのサポートにより、誘導的な傍受通信を減らす
  • DC または AC 負荷スイッチングのサポート
  • ユーザーが選択した外部 FET を駆動
  • 2.5 kVrms の絶縁耐圧
  • UL、CSA、VDE、CQC 認定 (申請中)
  • 工業用の温度範囲は -40 ~ +105°C、車載用は -40 ~ 125 °C
  • ROHS 準拠の SOIC-8 パッケージ
ステータス
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部品番号 絶縁耐圧(kVrms) 入力タイプ ピーク出力電流 最大伝搬遅延(µs) 駆動供給範囲(V) パッケージ・タイプ AEC-Q100 入力電源(V) ドライバ電源の機能 温度範囲(ºC) 10 Kv サージ オーバーラップ保護およびデッド・タイム制御
2.5 デジタル CMOS 外部 FET 固有 41 8 13 13 NB SOIC8 2.25 5.5 8 13 13 -40 105
2.5 ダイオード・エミュレーション 外部 FET 固有 41 8 13 13 NB SOIC8 2.25 5.5 8 13 13 -40 105

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