Si875x 絶縁型 FET ドライバ

Si8751/52 FET driver offer a simple way to replace solid-state relays (SSRs) or electromechanical relays (EMRs). Si875x devices combine robust CMOS isolation technology with a FET driver to form a complete, isolated switch. Versatile input options provide either digital CMOS pin control (Si8751) or diode emulation (Si8752) to best fit the application. Flexible outputs support driving AC or DC load configurations, and the self-contained device generates its own gate drive output voltage, reducing cost, size, and complexity. Si875x devices eliminate the need for bulky mechanical relays and allow self-selection for FET switches, so the design can be completely optimized for the application’s power, cost, and performance requirements. Unlike traditional SSRs, which integrate optocoupler-style LED inputs and limit the operating temperature range of the solution, Si875x drivers can support full industrial and automotive temperature ranges with increased stability and longer lifetime.

The Si875x drives FET gates with a nominal 10.3 V using as low as 1 mA input current, and its 2.5 kVrms isolation rating forms the basis for full certification to UL, CSA, VDE, and CQC. A unique power optimization option delivers maximum turn on current for fast speed, then lowers to static holding current once the optional external cap is discharged. 入力側電圧は 2.25 V ~ 5.5 V までの柔軟性を提供し、低電力コントローラへのシームレスな接続をサポートします。Si875x devices provide a clamping to prevent unintended turn on of the external FET when a high dV/dt is present on the FET’s drain.

Fast turn-off time
35 µs
Flexible input
digital or opto-emulator

Common Specs

  • デジタル CMOS またはダイオード・エミュレーション制御入力
  • 起動時間が 100 µs を下回る、10.3 V のゲート・ドライブ出力
  • 内部で生成される 2 次電源
  • ミラー・クランプ・キャパシタのサポートにより、誘導的な傍受通信を減らす
  • DC または AC 負荷スイッチングのサポート
  • ユーザーが選択した外部 FET を駆動
  • 2.5 kVrms の絶縁耐圧
  • UL、CSA、VDE、CQC 認定 (申請中)
  • 工業用の温度範囲は -40 ~ +105°C、車載用は -40 ~ 125 °C
  • ROHS 準拠の SOIC-8 パッケージ
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部品番号 絶縁定格(kVrms): 入力タイプ ピーク出力電流 最大伝搬遅延(µs) 駆動供給範囲(V) パッケージ・タイプ AEC-Q100 入力電源(V) ドライバ電源の機能 温度範囲(ºC) 10 Kv サージ オーバーラップ保護およびデッド・タイム制御
2.5 デジタル CMOS 外部 FET 固有 41 8 13 13 NB SOIC8 2.25 5.5 8 13 13 -40 105
2.5 ダイオード・エミュレーション 外部 FET 固有 41 8 13 13 NB SOIC8 2.25 5.5 8 13 13 -40 105

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