Si875x 絶縁型 FET ドライバ

Silicon Labs の Si8751/52 FET ドライバは、ソリッドステート・リレー (SSR) または電気機械式リレー (EMR) に代わるシンプルな手段をお客様に提供します。Si875x は、堅牢な CMOS 絶縁テクノロジーと FET ドライバを結合して、完全な絶縁スイッチを構成します。

汎用性の高い入力により、アプリケーションに最適なデジタル CMOS ピン制御 (Si8751) やダイオード・エミュレーション (Si8752) を選択できるだけでなく、柔軟性の高い出力により、駆動用 AC または DC の負荷構成に対応します。自己完結型の製品によって、そのゲート・ドライブ出力電圧が生成されるため、浮動型の 2 次 DC 電源は不要です。そのため、コストを低減し、サイズを縮小し、複雑さを軽減できます。Si875x があれば、PCB の組み立てを困難にし、システムにスイッチング・ノイズを発生させる可能性のある、かさばる機械式リレーが不要になります。さらに、お客様が柔軟性の高い独自の FET スイッチを選択することで、アプリケーションの電源、コスト、および性能の要件に合わせて設計を完全に最適化できます。フォトカプラ・スタイルの LED 入力を統合し、ソリューションの動作温度範囲を制限する従来の SSR と異なり、Si875x は向上した安定性と長寿命を備え、工業および車載用温度範囲に全面的に対応することが可能です。

Si875x は、最低 1 mA の入力電流を使用して、定格 10.3 V の FET ゲートを駆動します。入力電流を 10 mA に上げると、最高 94 µs の超高速起動が可能になります。特殊な電力最適化オプションは起動電流を最大にして高速化を実現し、その後オプションの外付けコンデンサが放電されたら、静的保持電流まで低下します。入力側電圧は 2.25 V ~ 5.5 V までの柔軟性を提供し、低電力コントローラへのシームレスな接続をサポートします。Si875x は、高い dV/dt が FET ドレイン上にある場合に、外部 FET の意図していない起動を防ぐためのクランプ・デバイスとなります。さらに、その 2.5 kVrms の絶縁耐圧は、UL、CSA、VDE、および CQC の完全な認定を取得するために不可欠です。 

機能

  • デジタル CMOS またはダイオード・エミュレーション制御入力
  • 起動時間が 100 µs を下回る、10.3 V のゲート・ドライブ出力
  • 内部で生成される 2 次電源
  • ミラー・クランプ・キャパシタのサポートにより、誘導的な傍受通信を減らす
  • DC または AC 負荷スイッチングのサポート
  • ユーザーが選択した外部 FET を駆動
  • 2.5 kVrms の絶縁耐圧
  • UL、CSA、VDE、CQC 認定 (申請中)
  • 工業用の温度範囲は -40 ~ +105°C、車載用は -40 ~ 125 °C
  • ROHS 準拠の SOIC-8 パッケージ


Si875x 製品マトリックス

ステータス
デバイス
部品番号 データ・シート 評価キット 絶縁定格(kVrms): 入力タイプ 入力電源(V) ピーク出力電流 最大伝搬遅延(µs) 駆動供給範囲(V) ドライバ電源の機能 温度範囲(ºC) 10 Kv サージ パッケージ・タイプ オーバーラップ保護およびデッド・タイム制御 AEC-Q100
Si8751-KIT 2.5 デジタル CMOS 2.25 5.5 外部 FET 固有 41 8 13 デジタル入力付き絶縁型 FET ドライバ -40 105 なし NB SOIC8 なし あり
Si8752-KIT 2.5 ダイオード・エミュレーション 2.25 5.5 外部 FET 固有 41 8 13 デジタル入力付き絶縁型 FET ドライバ -40 105 なし NB SOIC8 なし あり

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